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低压ZVS的设想
sj904
2021/09/10
高电压技术
IP:广东

9-10.jpg

为增加低压时MOS G极的驱动能力，把接在MOS  G极的470R电阻连接到12V，但是因为变压器正极接的是3.6V，当MOS的D极为高电平时，电压为3.6V，原电路中的二极管会把加在MOS  G极的12V拉低到接近4V左右，所以把原电路中的二极管改成三极管。


[ 修改于5年2个月前 - 2021/09/10 10:26:54 ]
来自：
高电压技术/ZVS
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