声明:文中装置涉及到高电压，强电磁辐射，裸露的市电整流等危险的操作，易造成人体生命安全的伤害，请勿模仿！

简介:

采用大功率碳化硅mos管，双e类架构的特斯拉线圈

参数:

谐振频率:约600kHz

供电:市电经由自耦调压器到170v左右，滤波整流后200v上下

峰值功率大约1kw左右（因为5A的保险丝偶尔会烧断)

未进行灭弧调制，装置上电后自由谐振。

电弧长度大约20厘米，大于次级线圈高度12厘米。

先上效果视频:

lv_0_20260331213833.mp4 点击下载

电弧图像:

第二视角:

原理图:

大致原理:

图中左侧R8与D11从电源钳位12v到电位器，调节电位器使得两mos栅极电压逐步升高，直到到达某一侧mos栅极的通导电压使其通导。

一侧mos通导后，电流经过初级线圈，随后次级反馈线圈产生电压与左右两mos栅极电压正向/反向叠加，关闭通导的mos开启另一侧mos，初级线圈电流换向，不断循环，完成起震。

其中初级线圈和初级谐振电容C1与mosDS电容C2/C3的谐振频率要与次级频率匹配，使mos工作在零电压开关（zvs)状态，不然发热严重。（计算方法见附件参考文献)

碳化硅mos:

这款mos管耐压1200v，室温下电流在100A左右，应对双e架构产生的3~4倍电源电压，供电可以提高到200v左右。

但相比普通mos，它的栅极耐受电压不对称，如图:

原理图中采用uf4007规避掉栅极负压和p6ke12ca钳位12v来保护这脆弱的栅极。

实物图:

另外防止电弧批到mos上造成其损坏，对mos的所有管脚进行tvs钳位到大地。

目前电源调制部分还未完成，后期更新加装电源调制的效果。

参考文献:

双E类逆变器拓扑电路仿真研究.pdf4.01MBPDF361次下载预览