是为了保证Vgs不超过大约正负16v（15+正向降压值）吧？
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全桥电路中稳压二级管的作用
一直想做TC玩，但对这方面电路认识有限，在此请教各位。。。。
两个二极管反向串联后对与之并联的电路可起过压保护作用，当电路过压时，二极管首先击穿短路------在百度找的
问题来啦
1.桥电路中功率管前那两只反向串联的稳压管是根据功率管的什么定义稳压值的？
2.这样反向串联后稳压值又发生了什么变化？（最好可以举例说明）
3.桥电路中不同的功率管怎样选择这稳压管？如MOSFET IRFP460；IGBT G4PC50UD。![123.jpg]()
![124.jpg]()
两个二极管反向串联后对与之并联的电路可起过压保护作用，当电路过压时，二极管首先击穿短路------在百度找的
问题来啦
1.桥电路中功率管前那两只反向串联的稳压管是根据功率管的什么定义稳压值的？
2.这样反向串联后稳压值又发生了什么变化？（最好可以举例说明）
3.桥电路中不同的功率管怎样选择这稳压管？如MOSFET IRFP460；IGBT G4PC50UD。
本帖最后由 sd196821 于 2014-1-28 00:35 编辑
钳位保护G极，稳压管功率就选一般的就行，不用太大，钳位······
钳位保护G极，稳压管功率就选一般的就行，不用太大，钳位······
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本帖最后由 左哥 于 2014-1-28 03:27 编辑
稳压管是限制MOSFET的VGS用的，所以稳压值要根据MOSFET的特性选取，一般MOSFET的VGS大于8V才能使其可靠导通，而MOSFET的击穿VGS一般在20~30V，所以合适的VGS为8~20V，为了避免VGS过高造成MOSFET损坏，所以要加入稳压管以限制VGSmax，通常把VGSmax限制在12~16V
（欲知后事如何，请见下回分解）
稳压管是限制MOSFET的VGS用的，所以稳压值要根据MOSFET的特性选取，一般MOSFET的VGS大于8V才能使其可靠导通，而MOSFET的击穿VGS一般在20~30V，所以合适的VGS为8~20V，为了避免VGS过高造成MOSFET损坏，所以要加入稳压管以限制VGSmax，通常把VGSmax限制在12~16V
（欲知后事如何，请见下回分解）
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（接上回）
由于采用了GDT驱动MOSFET或IGBT，GDT中的磁场通常是推挽磁场，驱动信号也就是交流信号而不是直流脉冲信号，采用交流驱动MOSFET，也就是在其关断的时候给G极加一反压，有很多好处：避免了关断状态下VGS＝0时，G极为高阻态或输入电阻过大造成G极引入杂散信号造成MOSFET误导通，如果是IGBT，关断时给G极加反压还能有效抑制擎住效应，提高电路的可靠性
MOSFET的G极，正反特性相同，反向击穿电压也是通常为20~30V，通常也把电压限制在16V以内，所以稳压管要采取双向限压
稳压管正向相当于普通二极管，大约0.7V导通，反向击穿电压也就是它的稳压值，大于稳压值导通，反之关断。
双向限压的方法就是两个稳压管反向串联，正反特性相同。假如是两个12V的稳压管反向串联，反管是12V击穿，正管是0.7V击穿，则要把它们全部击穿就需要12.7V，稳压值也就是12.7V，反向同理。所以电压就会被双向限制在12.7V。
（欲知后事如何，请见下回分解）
由于采用了GDT驱动MOSFET或IGBT，GDT中的磁场通常是推挽磁场，驱动信号也就是交流信号而不是直流脉冲信号，采用交流驱动MOSFET，也就是在其关断的时候给G极加一反压，有很多好处：避免了关断状态下VGS＝0时，G极为高阻态或输入电阻过大造成G极引入杂散信号造成MOSFET误导通，如果是IGBT，关断时给G极加反压还能有效抑制擎住效应，提高电路的可靠性
MOSFET的G极，正反特性相同，反向击穿电压也是通常为20~30V，通常也把电压限制在16V以内，所以稳压管要采取双向限压
稳压管正向相当于普通二极管，大约0.7V导通，反向击穿电压也就是它的稳压值，大于稳压值导通，反之关断。
双向限压的方法就是两个稳压管反向串联，正反特性相同。假如是两个12V的稳压管反向串联，反管是12V击穿，正管是0.7V击穿，则要把它们全部击穿就需要12.7V，稳压值也就是12.7V，反向同理。所以电压就会被双向限制在12.7V。
（欲知后事如何，请见下回分解）
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本帖最后由 左哥 于 2014-1-28 04:24 编辑
（接上回）
MOSFET或IGBT的导通VGS应限制在12~16V，楼主的第二张图严重不合理。
俺个人建议，也是俺个人习惯，单向限幅：12V，稳压管：1N4742；双向限幅：正向12.7V，反向5.8V，稳压管：正向1N4733（5.1V 1W），反向1N4742（12V 1W）。
至于我为什么推荐反向限制在－5+V而不是－12+V，原因是两者对开关管的保护作用几乎相同，而GS结电容会有一个反向充放电的过程，电压过高会影响G极的dV/dt，造成G极本身和其驱动电路的电压电流应力过大，而较大的dV/dt或dI/dt也正是电磁干扰的主要来源（G极峰值电流有可能达到500mA以上或1A以上）。
（完）
（接上回）
MOSFET或IGBT的导通VGS应限制在12~16V，楼主的第二张图严重不合理。
俺个人建议，也是俺个人习惯，单向限幅：12V，稳压管：1N4742；双向限幅：正向12.7V，反向5.8V，稳压管：正向1N4733（5.1V 1W），反向1N4742（12V 1W）。
至于我为什么推荐反向限制在－5+V而不是－12+V，原因是两者对开关管的保护作用几乎相同，而GS结电容会有一个反向充放电的过程，电压过高会影响G极的dV/dt，造成G极本身和其驱动电路的电压电流应力过大，而较大的dV/dt或dI/dt也正是电磁干扰的主要来源（G极峰值电流有可能达到500mA以上或1A以上）。
（完）
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zkll 发表于 2014-1-28 02:29
能具体说一下 稳压管串联稳压原理吗？谢谢！
打个比方，如果一个稳压值为12v的稳压二极管，如果它的阴极接高电位，阳极接低电位，那么，它的稳压值是12v,如果它的阴极接低电位，阳极接高电位，那么，它的稳压值是0.7伏，也就是二极管的正向导通压降，如果是锗材料，那么正向导通压降便是0.3伏。二极管稳压时工作在反向击穿状态，击穿电流变化大，而电压变化特别小，所以叫做稳压二极管，如图连接的话，上管工作在稳压状态，下管工作在正向导通状态，所以稳压值是15.7伏。如果输入交流电信号，同理，如果下管处在稳压状态的话，那么上管便处于正向导通状态，稳压值也是15.7伏。提醒一下，稳压管工作在反向击穿状态时，也就是稳压状态，是有反向电流流过稳压二极管的，所以，下管是有正向电流流过的，所以下管稳压0.7伏【硅材料】。0.3伏【锗材料】
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那里直接换成TVS型号P6KE18CA 就好了， 也可以P6KE15CA 没有就用 1W的18V或者15V稳压二极管 33V的基本淘汰了，那个是第一代IGBT的用的现在的IGBT基本是3代或者4代 控制电压也来越低接在个i案子越近越稳定，保护管子用的，实在没有不加都可以，就是管子爱坏小功率实验的话 无视都可以
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左哥 发表于 2014-1-28 04:19
（接上回）
MOSFET或IGBT的导通VGS应限制在12~16V，楼主的第二张图严重不合理。
俺个人建议，也是俺个人 ...
谢谢你的回答，让我在做TC前懂得一些相关知识。我将从反馈式SSTC开始着手，感觉DR离我还是挺远的。[s:1]
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