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芯片数 |
激发源 |
发光材料 |
发光原理 |
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1 |
蓝色LED | InGaN/YAG | InGaN的蓝光与YAG的黄光混合成白光 |
| 蓝色LED | InGaN/荧光粉 | InGaN的蓝光激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光 | |
| 蓝色LED | ZnSe | 由薄膜层发出的蓝光和在基板上激发出的黄光混色成白光 | |
| 紫外LED | InGaN/荧光粉 | InGaN的紫外激发红绿蓝三基色荧光粉发白光 | |
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2 |
蓝色LED 黄绿LED |
InGaN、GaP | 将具有补色关系的两种芯片封装在一起，构成白色LED |
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3 |
蓝色LED 绿色LED 红色LED |
InGaN |
将发三原色的三种小片封装在一起，构成白色LED |
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多个 |
多种光色的LED | InGaN、GaP AlInGaP |
将遍布可见光区的多种光芯片封装在一起，构成白色LED |
单 颗 白色L ED 的 效 能 进展
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年份 |
发光效能（流明/瓦） |
备注 |
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1998 |
5 |
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1999 |
15 |
相若白炽灯 |
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2001 |
25 |
相若卤钨灯 |
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2005 |
50 |
长远发展目标
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单颗白色LED | |
| 输入功率 | 10瓦 |
| 发光效能 | 100流明/瓦 |
| 输出光能 | 1000流明/瓦 |
| 时段 | 个数 |
|---|---|
| {{f.startingTime}}点 - {{f.endTime}}点 | {{f.fileCount}} |
