问题很典型



1、r1和1n5819 的作用，如何确定r1数值。

阻止驱动GS振铃。延迟管子开启。一定程度上防止出现共态。

2、电源滤波电容的数值，如何确定，st的滤波电容那么大，他是在推IGBT模块吗？

越大越好，多个电解并联，有利于降低内阻，提高高频响应。一般100UF/100W

3、c2吸收电容是工作在高频环境吗？大小如何确定，用何种类型（耐压）电容好，mkp安规可不可以。

吸收桥翻转时候线圈，以及布线导致的尖峰。安规尚可，高频特性要好，无感。金属化聚丙烯或云母电容 dv/dt > 500V.品牌：CDE

4、这个图推塑封40n60 IGBT管合适不？ 如果换成mos IRFP460 用不用改动？

可行。至于MOS ，线性内阻存在。若是零电流关断，MOS 可行。

5、磁环的绕制对匝数（不是匝数比）等规格有没有严格的要求。

选用ui >150以上 ，15V 驱动绕15T