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高电压技术
发表于《
自制大功率高压包推挽驱动效果
》
ehco
作者
16年2个月前
IP:未同步
263732
7楼
引用第6楼wzr200408于2010-10-30 10:29发表的 :
MOS在DS加反向肖特基会不会好点?
对于推挽拓扑,自感电动势是直接叠加在MOS的D上,加反向二极管无济于事。况且我用的IRFP260N内部已经有寄生二极管。
对于桥式拓扑,能通过反向二极管将自感电流续流至母线。
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文号 / 263732
ehco
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