引用第49楼ry7740kptv于2010-12-10 23:52发表的 :
其实ZVS就应该用IGBT做，没内阻这一说，损耗小，功率才能大！
另外，以后玩FBT还是弄拆机的吧，烧了不可惜。。。
错。IGBT虽然把内阻转为一个VCEsat，但是此VCE乘上电流后功率相当可观，而在MOS管mΩ级Ron下，管耗低得多。
同样的电路，同样的功率，MOS IRFP260N， IGBT G80J101 ，前者可不用散热，后者即便散热也很烫。
错。IGBT虽然把内阻转为一个VCEsat，但是此VCE乘上电流后功率相当可观，而在MOS管mΩ级Ron下，管耗低得多。
同样的电路，同样的功率，MOS IRFP260N， IGBT G80J101 ，前者可不用散热，后者即便散热也很烫。
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