不要误会，我没有恶意，但是你的计算确实错得太离谱。如果依你的计算结果来算的话，IGBT的GE（或MOSFET的GS）就是短路的，实际大家应该都知道GE或GS是一个电容。需要的驱动功率应该是每周期的驱动能量乘以频率。也就是说驱动功率和驱动电压,GE结电容，驱动频率有关。举个例子：三菱CM200HA-24H的IGBT，200A1200V，规格书上GE电容是40n F，假如驱动频率50K（实际这个工作在50K硬开关的频率上很困难，一般20K左右），驱动电压15V，不考虑关断负压。每周期需要的驱动能量是15V的平方乘以40纳法，再除以2，结果是4.5微焦耳，再乘以50KHZ，一秒钟需要的能量就是0.225焦耳，驱动功率就是0.225瓦。当然这只是在GE结电容上损耗的功率，考虑GE串联电阻和电路其他部分，实际功率会略大，所以驱动IGBT或MOSFET需要的功率其实很小的，用很小的变压器就够了。还有，驱动峰值电流决定IGBT的开关速度，并不是多大的IGBT一定要用多大的驱动电流。