我首先把你的话说开 EMI是兼容性要求
而上升时间是技术要求 可以分开来说

而且你把话题说偏了 从最开始你就说上升时间可以通过改变栅极电阻改变 这一点毋庸否认
但是GDT本身的驱动功率很大程度上影响着上升时间
只有GDT本身有较大的功率容量 才有可能提供很短的上升时间 而改变栅极电阻改变上升时间是建立在这个基础之上的
举个很简单的例子 一套固定的驱动系统 本身只能提供300nS的上升 你再怎么调电阻也不可能讲上升时间减小到300nS以下

所以GDT功率太小随之而来的就是功率管开通时间的加长 带来的后果就是开关损耗的增加
所以你后面的话 并不能辅证你的言论

你说到的电磁兼容性问题 可以通过各种屏蔽手段达到检验要求
而判定电源好坏最本质的还是转换效率 输出稳定度 等 一些基本特性 所以为了达到电磁兼容性要求而牺牲效率是非常不明智的