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~~空空如也
IR2110的优点是不少,不过它不能产生负偏压,如果用于驱动桥式电路,带感性负载运行,桥电路做切换的时候,电感会产生反相的电动势,处于关断状态下的IGBT,由于续流二极管的恢复过程,IGBT将承受集电极-发射极之间的电压急剧上升。此静态的dv/dt通常 比IGBT关断时的上升率高。由于米勒电容的影响,此dv/dt在集电极-栅极间电容内产生电流,流向栅极驱动电路。虽然在关断状态时栅极电压为零 ,由于栅极电路的阻抗(栅极限流电阻,引线的寄生电感),该漏电流使栅极电压增加,趋向于开启阈值电压。更糟糕的情况是该电压达到阈值电压,IGBT将被开通,导致桥臂短路。
由于IR2110的输出阻抗问题,沿栅极的灌入电流会在驱动电压上加上比较严重的毛刺干扰。

如果用于DRSSTC,就不要直接用这个了,在没有负偏压的情况下,感性负载的反相电动势会给你带来灾难。。。对此可以加上负压电路加以改进。
+100  科创币    任某人   2012-09-10   正解!
+200  科创币    ehco   2012-09-10   适合MOSFET驱动
+1  科创币    坚持and突破   2012-09-10   我记得有一次逛电源网那边好像见过用211X系列产生负偏压的电路......
文号 / 450331

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