切切实实拿数据说话 放电管的导通电阻大多数是零点几欧姆到十几欧姆（.Ω~Ω）级别的
而TYN1225可控硅在几百安过电流下仅仅只有1V左右的压降 这样换算出来的电阻是十几毫欧姆（mΩ）
现在我们来看一张TYN1225 datasheet截图
![QQ截图20121019220057.jpg]()
里面的ITSM=250A 10mS 这个概念就是在10mS的时间内能够通过250A峰值的脉冲电流 这是非常强悍的一个数值
那么按啪啪电路里 0.3μF的放点电容 配合1~2μH左右的漏感（次级完全短路的状态，实际上会有反射电感。这个数值会更大）
那么放电上升脉冲可以看成是一个正弦波的正半周（由于反射电感的影响，上升时间会更缓）
这个正弦波的频率为200KHz左右 周期为5μS 半波周期为2.5μS的脉冲
现在观察I2t这个参数是320 A^2S 可以算出2.5μS左右的时间内 TYN1225型号的可控硅在导通情况下足以安全流过11KA左右的电流
但是考虑到datasheet是允许100A/μS的上升率的 也意味着足以让电流在一个放电周期中上升到250A左右幅度
这是最低最低的过流评估数据 而实际工作情况下这个放电时间可能是几十μS级的 那么耐流就远在250A以上 甚至是KA级别
所以这也是可控硅广泛用于电磁枪这种超大脉冲电流开关的应用场合的原因 可控硅的耐流能力和性能比你想象的高太多了
这个电路既然我做开发 我就要做到稳定可靠 而不是停留在只能当玩具 玩两下就寿命结束了
而使用可控硅的好处不会停留在固态开关的低损耗这一项上面 而是利用其可控性为以后的成型脉冲做准备
关于最大程度制动人体的成形脉冲波形资料我已经掌握了 等踏踏实实把这些电路元件参数都确定出PCB之后 自然会有升级的系列出来
