TVS和压敏电阻对于瞬态过电压有钳位的重要作用，但是对于过高的dv/dt（超过器件的承受极限）则完全没有任何抑制和降低的功能。
对于工频、中频的可控硅应用场合，需要组合压敏电阻与RC（RCD）缓冲网络抑制过电压与高dv/dt，数十KHz以上的高频场合，由于压敏电阻自身电容过大，适当的组合是TVS与RC（RCD）缓冲网络。
对于工频、中频的可控硅应用场合，需要组合压敏电阻与RC（RCD）缓冲网络抑制过电压与高dv/dt，数十KHz以上的高频场合，由于压敏电阻自身电容过大，适当的组合是TVS与RC（RCD）缓冲网络。