随手用spice仿真了一下不考虑米勒电容情况下对一个LCR电路的充放电。
来模拟对50UD 栅极的驱动。


驱动电压源内阻为0。线路总漏感100nH。栅极电阻4.7ohm。Ciss=4nF。
驱动源特性为在10mS的时候。提供一个100nS速度的电压提升。高电平15V。低电平0V。
写入控制语句.tran 20mS 使之提供整个系统20mS内的所有数据。

仿真开始之后。可以很明显看到熟悉的驱动波形。
绿色曲线为电容电压。也就是栅极电压。由于漏感的存在。有一个微小的电压过冲。
接下来是我们要研究的蓝色曲线。蓝色曲线即驱动电流波形。
Ipk电流峰值毫无疑问的达到了700mA。 而Tr=160nS。和你用线性公式算出来的差远了。
而且你的设定参数是Tr=150nS Vo=18V。Ipk无疑大于700mA。

这样一来。光是驱动Ciss都要耗费这么大的电流峰值。
就更不用考虑在高压母线300~400V的情况下驱动电路抵消通过Cm电容感应回来的电动势所需要的峰值电流了。
这样说你应该能理解为什么一些MOS/IGBT驱动器需要动辄听起来很吓人几十A的内阻抗特征对应电流吧。
那些几十A的驱动器并不是虚标。而是的确需要提供这么大电流来抵消Cm的影响。