刚才又重新设定了参数。算了下米勒电容。在400V母线下需要将近9A的驱动电流。
而50UD全桥需要将这个参数X4。这还是没考虑到GDT系统的能损。
现在想起用8050/8550驱动全桥还想达到150nS的Tr Tf真是太神奇了[s:220]
而540 520这种小MOS。不需要考虑Cm。Ciss几百pF需要的驱动电流小得可怜。
反而用8050/8550并管驱动倒是挺奇葩的[s:220]
而50UD全桥需要将这个参数X4。这还是没考虑到GDT系统的能损。
现在想起用8050/8550驱动全桥还想达到150nS的Tr Tf真是太神奇了[s:220]
而540 520这种小MOS。不需要考虑Cm。Ciss几百pF需要的驱动电流小得可怜。
反而用8050/8550并管驱动倒是挺奇葩的[s:220]