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就用固态开关元件的解决方案来看 这种电流和电压级别只能用可控硅阵列来控制
如果要调节占空比只能改变电容阵列的大小 如果用控制信号驱动GTO的方案 成本会较高
光是KA级别的GTO 或者SCR的串联阵列就是一个很大的东西了
所以如果不要求占空比的情况下 和5L说的一样
使用可控的高压充电电源给高压储能电容器充电然后击穿火花间隙放电的这个设计不错
只是能量损耗会很大
如果要调节占空比只能改变电容阵列的大小 如果用控制信号驱动GTO的方案 成本会较高
光是KA级别的GTO 或者SCR的串联阵列就是一个很大的东西了
所以如果不要求占空比的情况下 和5L说的一样
使用可控的高压充电电源给高压储能电容器充电然后击穿火花间隙放电的这个设计不错
只是能量损耗会很大