Toggle navigation
科创
{{ getSearchSuggestionLabel(suggestion) }}
{{ part.text }}
查看更多
登录
 
注册
电波
论坛
专栏
应用
登录
注册
{{ getSearchSuggestionLabel(suggestion) }}
{{ part.text }}
查看更多
论坛
>
电子信息
>
电子技术
发表于《
【热处理】关于感应加热的几点补充
》
矩阵员
13年5个月前
IP:未同步
549313
45楼
你好版主:请教下MOSFET的开关速度即然比IGBT的高,为什么在低频时多数机器却用IGBT呢!是不是低频时IGBT功率或效率更高呢!谢谢
加载全文
评论
0
文号 / 549313
浪迹天涯
名片
发私信
学术分 0
总主题 4 帖
总回复 48 楼
拥有证书:笔友
注册于 2013/07/08 16:44:36
最后登录 2018/02/08 16:33:11
主体类型:个人
所属领域:无
认证方式:邮箱
IP归属地:0
个人简介
暂未填写
笔记
{{note.content}}
{{n.user.username}}
{{fromNow(n.toc)}} {{n.status === noteStatus.disabled ? "已屏蔽" : ""}} {{n.status === noteStatus.unknown ? "正在审核" : ""}} {{n.status === noteStatus.deleted ? '已删除' : ''}}
编辑
删除
{{n.status === 'disabled' ? "解除屏蔽" : "屏蔽" }}
保存
取消
我也是有底线的
保存中...
保存