12年1个月前IP:北京
730078
25楼
no pictures no XX.

一般MOS管的命名规律不以电流参数为标准标在管身,而多见以型号代称标出批次。
第二点除了模块,不会有管子把GDS标出来,如果有特例那么很好逆向寻找。
第三点如果直标,那么IGBT非常常见,但是并不一定为真值,如40N可能为70A。
第四点我超过很多电视机高压包,击穿距离最大不会超过7cm。击穿距离达到15cm非常令人难以理解。
如果达到这么高的压匝比,很难保证不是磁芯先饱和。

就楼主提供的所有参数来说,不谈MOS问题,所有元件都工作在极为极端的条件下。
所以楼主最好拿出有说服力的图片来证明自己不是在YY。
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文号 / 730078

千古风流
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{{note.content}}
{{n.user.username}}
{{fromNow(n.toc)}} {{n.status === noteStatus.disabled ? "已屏蔽" : ""}} {{n.status === noteStatus.unknown ? "正在审核" : ""}} {{n.status === noteStatus.deleted ? '已删除' : ''}}
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  • {{n.status === 'disabled' ? "解除屏蔽" : "屏蔽" }}
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