引用 rudolf:宏观上这样讲应当是没问题的，这也是损坏的原因之一。
论坛上很少有人从这方面来研究IGBT和MOS在用于DRSSTC时的损坏机理，我之前认为是IGBT管芯在几个谐振周期的极短时间内由于开关损耗导致发热超过其能够将热量传递到外壳的速度而损坏。
耦合度的文章地址能否发一个，我找时间翻一下。
但是想过没有，为什么慢慢慢慢的加电流Ipk。会突然一瞬间炸，而散热片不会显著发热。
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在这，主要讲了耦合度对差拍的影响。