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发表于《设计入门：DRSSTC设计里IGBT应用的利与弊》
rb_sama作者
10年7个月前IP:湖北
818618
7楼
引用 Miller:
我还是想等几年用氮化镓的mos，那个功率和开关速度以及超低的损耗简直难以置信
虽然现在真要买的话能搞到货，但是价格无法接受
是的，每一次材料革命都会推动其他技术的进步。
GaN材料的MOS出来损耗小，速度快还有什么特殊的特性吗？
评论
文号 / 818618
rb_sama
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我也是有底线的