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发表于《设计入门：DRSSTC设计里IGBT应用的利与弊》
rb_sama作者
10年7个月前IP:湖北
818876
19楼
引用 Miller:
开关干净利落，上升快（快到都快成缺点了。。。）寿命长，据说那个东西结温能到200℃不坏....现在的封装600V60A的mos比指甲盖大不到哪去，总之全面碾压现在的晶体管，更多特性你可以查一查，就跟加了特技一样
好的，我之前去了解了。就等这种IGBT规模做到更大了。应该很适合做DR
评论
文号 / 818876
rb_sama
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