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IGBT关断不良问题
2016/05/16
IP:天津
IGBT关断不良问题

大家好,请教一个问题。
本人新手,请多包涵。我要做一个单相的全桥逆变板。比较简单,就是PWM信号有单片机生成后,经过TLP250光耦的隔离放大后加到由IGBT组成的全桥上。现在第一步,是使用了全桥的左上和右下的管子,做一个斩波的测试(不知此处原理是否可行)。问题就来了,我搭好电路后,发现IGBT不能很好的关断,下图。
TEK00007.png


我检查IGBT的GE间的驱动感觉正常,如图。
TEK00006.png



以下是我的原理图。
[LXL$F6XVA{B58MR6VN3LZD.png

VCC1=15V。

SR.png

图中,直流母线电压为12V,实际GE间所用稳压管为15V。

只有VT1和VT4的栅极加载相同的PWM信号(同开同关),单片机产生的PWM信号如下。
TEK00001.png



我试着减小了栅极电阻(由100欧变为50欧),但是关断波形并没有改善。现在请教各位高手。 tek00004.png
TEK00002.png
TEK00003.png
TEK00005.png
TEK00007.png
8
10年7个月前IP:浙江
819434
1楼
要负压关断。
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1
chenhuayu作者
10年7个月前IP:天津
819438
2楼
引用 rudolf:
要负压关断。
是负压关断的。--6.1V,如图2.
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10年7个月前IP:江西
819439
3楼
用MOS吧。
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10年7个月前IP:广东
819641
4楼
G1和E1之间加个二极管,加速关断
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10年7个月前IP:安徽
819862
5楼
上升沿那么快,下降却那么慢,用示波器测量一下R4上的电压波形看看,我感觉G极加电快,但放电慢,有负压不应该这样,是不是放电回路不正常?G1E1加一个1K的电阻看看。
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10年7个月前IP:浙江
819866
6楼
R4上并一个二极管,加速关断。D1稳压值再减小点试试
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9年1个月前IP:天津
840813
7楼
换一只TLP250试试
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9年1个月前修改于 9年1个月前IP:浙江
840817
8楼
因为你是同开同关的,所以R23在关断的时候浮空了。测量的时候必须直接测量R23两端的电压。建议VT4关断时刻比VT1晚一点。
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