我说的有点问题哈，记错了，IR2110本身没有电荷泵，但是我看到的一片文献中使用了外挂电荷泵来规避TON不能太大这个问题，非常有趣
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另外就是最近搜集到的一些Buck变换器芯片实现的论文中，自举电容也是采用电荷泵提供上管驱动，就不知道这么搞能不能在大功率场合用了（笑
还有就是刚刚想到一点可能的原因就是目前为止国内BCD工艺提供的DMOS耐压性能多少有些不够，貌似最高也就BPS的700v 了吧。。。可能真全做在一片上可能分分钟炸飞。。。
另外还有一个问题就是TC这玩意的效率是怎么量化的呢？