这个和很多因素都有关系。闪烁体这里，gamma光子得先转化成光子，再通过光电倍增管转化为电子，再转化为电信号。这里每步的效率都不是很高，比如光电倍增管的光阴极的量子效率也就40%差不多了，这里会有散粒噪声的问题，之后的倍增过程本身也是一个随机过程，会增加噪声。然后闪烁体本身就有分辨率限制，特别是晶体体积大了以后还会受到光收集均匀性问题的影响（我的那个3inch的NaI就算偏大了，其实是不利于分辨率的）。半导体探测器中gamma光子直接转化为空穴电子对，在高压电场作用下，由于高纯锗里的缺陷极少，基本所有空穴电子对都能到达电极被收集，这些电子通过低温JFET（大大减少了放大器的热噪声）的前级进入电荷敏感放大器，整个过程中能贡献噪声的地方少很多。