用独立电桥或者定向耦合器，肯定会好得多得多，首先就是它可以用高电平驱动的无源混频器，不会出现高增益同时还高噪音的情况。要么加预放，高增益但超低噪音，要么不加预放，噪音高但低增益，都能为保持动态范围创造...
赶脚从测试端口到PCB再到器件介质3个阻抗不连续点叠加 S11要做到-20多还是很困难的。
不知道成品那种拼接方案是不是电桥S11做到300k-几十G都很好然后直接级联。
我这边一台铜山的VNA外置电桥模式1G以下就完全没有信号，并且rawdata明显看到1G有跳变，怀疑是直接电桥级联耦合器直接做4个接收机搞得。
至于那种薄膜电阻，以我做MMIC的经验他们fab都会给出一个非常离谱的误差，比如我的TFR电阻标称是+-10%精度，epi电阻标称+-23%
实际上量产出来好得很。
实际上陶瓷片上做GSG的SOLT TRL校准件已经是成熟工艺了，我曾经用IPD做过一套GSG校准件 load S11测出来优于-30db。
所以电阻精度不一定是问题。