一般的做法是电桥和耦合器串联，耦合器始终在线，高频时用电子开关旁路电桥。不过现在不等惠斯登电桥都可以做到几十G了，多数高频应用就一个电桥解决。薄膜电阻实际做的结果就是误差很大（2~5%），一个片子上的...
5%出来S11也是-30多了，目测那高频电桥花似乎在巴仑边上的吸波材料上。高频可能被吸波材料吃掉了很多所以带宽能拉爆。
如果是沉积的电阻靠近一些一致性应该会好很多。
不知道在IPD上用TFR做电桥再画一个高频1：1外面再级联一个钢线1：1能不能把带宽拉上去。
不过这种奇怪的结构没见过有谁做的。