3，问题所在及其分析

在解释共振槽沟的工作机制时，引用了图23-16C。我们看下图23-16。见下图。

图23-16描述了共振器件从经典LC谐振电路逐渐演变到谐振腔的渐变过渡。随着电感L和电容C的逐渐变形，它们形成了腔体，电容C体现在腔体中心电场强的地方；电感L体现在腔体边缘电流大的地方。

需要说明的是图23-16C在一定程度上是示意性的。这种分布式谐振器的腔体内部，L和C可以认为是无所不在的，只是随各个位置的场强不同而产生了重要性的区别。熟悉集总电路的人可以通过这个概要模型而快速理解它的原理。

我们尝试按图23-16C来理解一下图24-10。把23-16C的谐振腔剖开取右半并逆时针旋转，即成为下图左所示的谐振体，简化如图右。

我们看一下这种谐振体。简要来说，忽略损耗，它类似于一个并联LC谐振电路，开口在下方。LC并联谐振电路的阻抗为：

在谐振频率，b处的Z趋向无穷大。这个模型似乎无法解释图24-10。

一方面，这个谐振体在谐振频率时面向波导腔的位置b处阻抗极大。这意味着从波导腔看来，b处是电流断点，这与期望相反。

电流断点b处，可否由麦克斯韦方程的右边两项的此消彼长来接续，从而腔内磁场在b处看不到公式右边的突变呢？不行。这势必会导致dE/dt，b处左右产生了电势差。而本来无狭缝b时无限靠近并平行于金属壁积分E是零。所以，波导腔壁电流到达b点时，似乎确实无路可走，必须往上拐，不太可能像费曼所述“The high guide currents simply charge and discharge the “capacity” of the gap (at b in the figure)”。

另一方面，在这个谐振体中，图24-10的两端波导的金属搭接处a应该位于何处呢？根据几何对比，似乎应该位于上图中“L”的某处，即我画了个问号的地方。但无论在哪个地方都是不合适的。并联谐振电路的内部电流是外部端口电流的Q倍，Q是品质因子。这个内部电流在L和C之间做无功倒换。金属搭接点a若放在L的中间，那么其电流将是放在b点的Q倍量级，这显然会带来更大的损耗。