点个赞，这么厉害，怕是电到要烧得生疼
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基于碳化硅（sic）mos的双e类特斯拉线圈
声明:文中装置涉及到高电压，强电磁辐射，裸露的市电整流等危险的操作，易造成人体生命安全的伤害，请勿模仿！
简介:
采用大功率碳化硅mos管，双e类架构的特斯拉线圈
参数:
谐振频率:约600kHz
供电:市电经由自耦调压器到170v左右，滤波整流后200v上下
峰值功率大约1kw左右（因为5A的保险丝偶尔会烧断)
未进行灭弧调制，装置上电后自由谐振。
电弧长度大约20厘米，大于次级线圈高度12厘米。
先上效果视频:
lv_0_20260331213833.mp4 点击下载
电弧图像:
第二视角:
原理图:
大致原理:
图中左侧R8与D11从电源钳位12v到电位器，调节电位器使得两mos栅极电压逐步升高，直到到达某一侧mos栅极的通导电压使其通导。
一侧mos通导后，电流经过初级线圈，随后次级反馈线圈产生电压与左右两mos栅极电压正向/反向叠加，关闭通导的mos开启另一侧mos，初级线圈电流换向，不断循环，完成起震。
其中初级线圈和初级谐振电容C1与mosDS电容C2/C3的谐振频率要与次级频率匹配，使mos工作在零电压开关（zvs)状态，不然发热严重。（计算方法见附件参考文献)
碳化硅mos:
这款mos管耐压1200v，室温下电流在100A左右，应对双e架构产生的3~4倍电源电压，供电可以提高到200v左右。
但相比普通mos，它的栅极耐受电压不对称，如图:
原理图中采用uf4007规避掉栅极负压和p6ke12ca钳位12v来保护这脆弱的栅极。
实物图:
另外防止电弧批到mos上造成其损坏，对mos的所有管脚进行tvs钳位到大地。
目前电源调制部分还未完成，后期更新加装电源调制的效果。
参考文献:
看着像是家庭环境。
建议验证一下是否会影响自家手机打电话、WIFI是否断网。会的话，就不要搞——考虑很可能波及邻居乃至小区。
还有，万一周边有人佩戴心脏起搏器什么的……
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哈哈，大力出奇迹。
提个建议，初级太细了，而且PCB线圈的厚度只有0.035mm，而且是极扁平的形状，高频下回向两侧集肤，电阻会很大。换一个励磁线做初级，别的都不改，电弧可能可以更长一点。布线的优化空间也很大啊。
另外Class E PA好死不死的有个大概30°多一点的移相角，这其中，mos的Vgs驱动信号的基波到Vds基波大概有个几度(Vgs和Vds基本反相，可以认为是在几度上再加180°)，然后软开关条件解出来负载的需要有个30°左右的阻抗角。而且这个结构如果不加移相的话，环路是基本锁不到阻抗比较小的地方的。
而且恕我直言，这种简单的结构是做不出比较好的Class E的软开关状态的哈哈，包括我之前发的Class E TC，因为Class E的软开关要求太苛刻了，蒙是几乎不可能蒙出来的，需要认真调。但很多时候，即使完全没做到Class E的软开关状态，电弧可能还挺长的。
分享我之前做的一个Class E小TC，用了一个RC移相，调出这样理想的软开关状态真的很耗精力。因为电弧的负载大小是未知的，只能一点点的去蒙，然后匹配移相的极点频率，而且很多时候负载电阻会过大或者过小，还需要去微调初级的谐振电容来匹配阻抗，来实现zvs和zvds。
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