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昨天做了个100W的推挽高压发生器,晶体管烧了,请教大家
2009/12/02
IP:湖北
我用SG3525推挽的,采用了图腾驱动电路,用2个IRFP250N,工作电压是30V,方式是推挽电路,在高压包绕10T 中间抽头。但是初级端没有并电容,通电后,高压包拉弧很正常,但是晶体管严重发热,后来就OVER 了,不知道是怎么回事请教大家!


驱动电路:
插件3525驱动(图腾)_原理图.jpg


后级电路参考的这个:但是初级没有并那个电容和电阻,晶体管用的250,用的一对管子,
工作电压是30V
010ac60c51362f5d091b12c9dc391d06.jpg
joyeep作者
17年1个月前IP:未同步
169162
2楼
引用第1楼west_0830于2009-12-02 09:23发表的  :
那个并上去的电容和电阻还是要的.场管烧了检查你的图腾里的三极管烧了.没. [s:249]


驱动的那个电阻我接了的10欧的,我说是变压器初级的那个吸收脉冲的电容我没有并
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joyeep作者
17年1个月前IP:未同步
169240
17楼
那个电路确实做了,不过图用的人家的,嘿嘿

下午重新改了下驱动电路,发现发热严重和高压包本身有关系,高压包不适合做推挽。容易引起磁饱和。导致电流过大,明天试试E 变压,先测试下再看看。

估计把占空比调小点,就会好点,先换变压器看看

现在占空比是50%,估计引起了高压包的饱和
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joyeep作者
17年1个月前IP:未同步
169243
18楼
想了下我认为,这正是推挽电路的主要缺点,主要原因不在于SG3525占空比差异,而是变压器对称绕组参数差异,开馆管特性差异.这种情况下,加一点小气隙是可以改善的,但气隙不能大,否则会引起原边电感量减小或漏感增加,也是不利的.一般推挽变压器Bmax不易太大,应留有余量,而行变压器估计比较大。
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我也是有底线的