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领先!Samsung发布大容量40nm NAND闪存

mass_lynnxy2006/09/12电子技术 IP:广西

在CPU刚刚迈入65nm制程之际，三星（Samsung）已经开始使用40nm技术生产最新的 NAND 闪存了。三星近日a宣布，三星已经成功研制出首款采用40纳米制程的内存产品32Gb NAND flash，新产品采用了“ Charge Trap Flash ”架构(CTF)，不仅可以提高生产和效率，还可以大幅度提供内存的性能。

　　三星介绍，未来它们还将继续研发 30nm和20nm制程的产品。

三星还在这种 32 Gb NAND 闪存的基础上开发了容量为64GB的产品，可以存储64小时的DVD电影（40部）。

来自：电子信息 / 电子技术

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