[s:257] 无聊的问题！(对目前的我来说)有时间想这个……不如把单片机搞好！
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既然电势没有绝对的零点，那么两脚都接地的电容的两极之间相互排斥吗？
气象学家云云。大地表面带有巨大数量的电子（负电荷），云层底面带有巨大数量的正电荷。大地和云层之间有强烈的电势差，空对地的雷电就是这样产生的。
如果我们把一电容两脚都接地，那么结果会怎么样？会因为带同号电荷导致两极相互排斥吗？
另一问就是，假如我们正在使用的电器的每一个部分同时升高电势。会因为每个环节的电势差保持不变而不受到影响吗？难道不会有个极限让电容爆掉？
如果我们把一电容两脚都接地，那么结果会怎么样？会因为带同号电荷导致两极相互排斥吗？
另一问就是，假如我们正在使用的电器的每一个部分同时升高电势。会因为每个环节的电势差保持不变而不受到影响吗？难道不会有个极限让电容爆掉？
你有没有想过这个电势差的大小？
“天”和“地”在闪电放电时是因为电荷积累到击穿了潮湿的空气，这是因为“天”和“地”的电势差非常大才造成的吧。“地”与“地”之间那微弱的电势差就可以忽略了。
“天”和“地”在闪电放电时是因为电荷积累到击穿了潮湿的空气，这是因为“天”和“地”的电势差非常大才造成的吧。“地”与“地”之间那微弱的电势差就可以忽略了。
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通过2楼的提问。我立即想出突破 半导体极限 制造高速芯片的办法。大家都注意好，要是芯片公司真得用上了这个主意，那可是我先提出的！！！
把整个芯片工作时的参考零点电势提高或降低。让半导体内电子数量饱和或匮乏，总之就是与芯片在大地零点工作时不一样。因为芯片的工作环境不同了，所以继续压榨极限继续提高芯片性能是有可能的！！！
把整个芯片工作时的参考零点电势提高或降低。让半导体内电子数量饱和或匮乏，总之就是与芯片在大地零点工作时不一样。因为芯片的工作环境不同了，所以继续压榨极限继续提高芯片性能是有可能的！！！
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算一下数量级
引用第4楼dctyu于2010-01-06 16:22发表的 :
通过2楼的提问。我立即想出突破 半导体极限 制造高速芯片的办法。大家都注意好，要是芯片公司真得用上了这个主意，那可是我先提出的！！！
把整个芯片工作时的零点电势提高或降低。让半导体内电子数量饱和或匮乏，总之就是与芯片在大地零点工作时不一样。因为芯片的工作环境不同了，所以继续压榨极限继续提高芯片性能是有可能的！！！
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引用第4楼dctyu于2010-01-06 16:22发表的 :
通过2楼的提问。我立即想出突破 半导体极限 制造高速芯片的办法。大家都注意好，要是芯片公司真得用上了这个主意，那可是我先提出的！！！
把整个芯片工作时的参考零点电势提高或降低。让半导体内电子数量饱和或匮乏，总之就是与芯片在大地零点工作时不一样。因为芯片的工作环境不同了，所以继续压榨极限继续提高芯片性能是有可能的！！！
理论是理论,现实是现实
上面这段话看了几遍没看懂,太深奥了
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如果人和设备被关在金属房间里。缓慢地生高金属房间的电势。
对房间里的人和设备来说，金属墙壁作为零点电势。这样人没事，设备也工作正常。
千万不要让房间外的人（采用大地电势为零点电势）来摸金属墙壁。如果这样做房间外的人会很倒霉。
金属房间与大地构成一个电容器，电容量不会变。金属房间的带电量与两极电势差成正比。升高金属房间的电势会让金属房间带正电荷，也会让半导体内的电子数量减少。降低金属房间的电势会让金属房间带负电荷，也会让半导体内的电子数量增多。
对房间里的人和设备来说，金属墙壁作为零点电势。这样人没事，设备也工作正常。
千万不要让房间外的人（采用大地电势为零点电势）来摸金属墙壁。如果这样做房间外的人会很倒霉。
金属房间与大地构成一个电容器，电容量不会变。金属房间的带电量与两极电势差成正比。升高金属房间的电势会让金属房间带正电荷，也会让半导体内的电子数量减少。降低金属房间的电势会让金属房间带负电荷，也会让半导体内的电子数量增多。
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要让正负电荷数目明显失衡，需要的电压和产生的静电力是天文数字
中学老师算过，具体数字忘了
另外静电荷集中于表面
中学老师算过，具体数字忘了
另外静电荷集中于表面
引用第11楼dctyu于2010-01-07 11:05发表的 :
如果人和设备被关在金属房间里。缓慢地生高金属房间的电势。
对房间里的人和设备来说，金属墙壁作为零点电势。这样人没事，设备也工作正常。
千万不要让房间外的人（采用大地电势为零点电势）来摸金属墙壁。如果这样做房间外的人会很倒霉。
.......
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