所以做那种圈数少。大威力的无关断发射器就要找那种大电流高电压的。要硬碰硬的扛才行 [s:94] 发现我笨了很多。。。许多简单的都想不到了 [s:245]
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烧IGBT总结。。
共进了25A 1200V和1000V40A的IGBT各8个。现只有4个1000V 40A，和二个25A1200V的了。。总结烧的经验。
1 没在发射线圈加吸收电容和电阻的情况下。烧的可能性95%以上
2。在加了吸收电容电阻后，可正常使用IGBT。但如果线圈漆包线总长度太短能量不能转化成磁那么IGBT这种情况下烧掉的可能性更大。
3 除了保护和要有一定的线圈长度还要有一定参数的IGBT。太小的IGBT做发射器没戏。相比之下可控硅在这方面比较好些。
4 做电磁发射器要加长漆包线长度，就要控制好IGBT关断时间 [s:245] 。过份追求威力效果只会是不停的损失 [s:245]
1 没在发射线圈加吸收电容和电阻的情况下。烧的可能性95%以上
2。在加了吸收电容电阻后，可正常使用IGBT。但如果线圈漆包线总长度太短能量不能转化成磁那么IGBT这种情况下烧掉的可能性更大。
3 除了保护和要有一定的线圈长度还要有一定参数的IGBT。太小的IGBT做发射器没戏。相比之下可控硅在这方面比较好些。
4 做电磁发射器要加长漆包线长度，就要控制好IGBT关断时间 [s:245] 。过份追求威力效果只会是不停的损失 [s:245]