视频链接把“。”改成“. ”，把“，”去掉。怎么感觉图挂了？
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555+630+高压包+8nF高压电容=4厘米放电电弧（有视频）
电路555驱动630（mosfet），高压包原边线圈12圈，40kV高压电容8.2nf标称（实测6.5nF）；
产生4厘米电弧，空气湿度65%，温度12摄氏度。
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视频链接v。you，ku。co，m/v_sh，ow/id_XMjI2ODE4MDA4。ht，ml距离再增大，高压包自带的原边会发生击穿，出现高压闪络，从而把能量释放掉，导致高压电容两端电压不能上升，另外在加大占空比的时候电容会有滋滋声，说明也电压接近或者已超过标称电压40kV。教科书上的空气击穿电场是30-40kV/cm，考虑空气湿度保守一些的起弧场强有10-20kV/cm的电场，那么现在的输出电压有40-80kV。
原边电流有接近5A，mosfet的G极接上TVS可以明显减小发热量，之前实验的过程中莫名其妙烧掉了仅有的一个IGBT，不舍得再买了，使用IGBT时在不加高压电容的时候可以非常容易产生等离子体焰，MOSFET跟IGBT的效果还是差了许多的，大家可以尝试一下，烧掉的IGBT是仙童的25N120二十块出头。
比较担心高占空比情况下高压包会短命，如果坏了就可以速度绕一个，顺便请教绕高压包副边的绝缘介质选什么好一些？！
产生4厘米电弧，空气湿度65%，温度12摄氏度。
视频链接v。you，ku。co，m/v_sh，ow/id_XMjI2ODE4MDA4。ht，ml距离再增大，高压包自带的原边会发生击穿，出现高压闪络，从而把能量释放掉，导致高压电容两端电压不能上升，另外在加大占空比的时候电容会有滋滋声，说明也电压接近或者已超过标称电压40kV。教科书上的空气击穿电场是30-40kV/cm，考虑空气湿度保守一些的起弧场强有10-20kV/cm的电场，那么现在的输出电压有40-80kV。
原边电流有接近5A，mosfet的G极接上TVS可以明显减小发热量，之前实验的过程中莫名其妙烧掉了仅有的一个IGBT，不舍得再买了，使用IGBT时在不加高压电容的时候可以非常容易产生等离子体焰，MOSFET跟IGBT的效果还是差了许多的，大家可以尝试一下，烧掉的IGBT是仙童的25N120二十块出头。
比较担心高占空比情况下高压包会短命，如果坏了就可以速度绕一个，顺便请教绕高压包副边的绝缘介质选什么好一些？！