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话说,400kHz的DRSSTC可以用IGBT否?
2011/12/03
IP:山东
RT,我正在做一个DRSSTC,这毕竟是第一次做,怕失败,怕炸管,所以来请教一下大家。
我准备买俩IGBT砖来做全桥,我想知道,如果频率达到400kHz,砖能不能承受?
还有,MMC用电磁炉的MKPH电容可以吗?
冻土作者
15年1个月前IP:未同步
341345
1楼
另外,那个反馈互感器和过流保护互感器。简单地把初级线圈穿过磁环就行了吗?还是要在磁环上绕一圈?我第一次做没有经验......
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冻土作者
15年1个月前IP:未同步
341417
5楼
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
这东西真贵......还不如买俩CM300。
还有一点,DR4里的74HC74和74HC08没买到,用LS代的芯片代替可以吗?
+1
科创币
科学人
2011/12/03
HC的意思就是“超高速”······
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冻土作者
15年1个月前IP:未同步
341575
8楼
回 6楼(black) 的帖子
兄台,LS代的芯片属于TTL芯片,它的特点是高速、耗电大,而HC代的芯片属于CMOS,对于外界的波动极其敏感,但是速度不如TTL。
TTL和CMOS对比:(TTL、CMOS)
电压范围:窄(精确的5V)、宽(5-15V)
速度:快、较慢
耗电量:高、低
对于微小波动的敏感性:低、高
静电易损性:低、高

CMOS芯片对于外界的微小波动十分敏感,所以我们才会采用CMOS芯片来追频。计算机都是采用TTL芯片,速度快,耗电多,所以用的时间长了会爆热。
传说HC代的CMOS芯片已经弥补了速度和对静电的易损性的不足。
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冻土作者
15年1个月前IP:未同步
341581
9楼
晶体管—晶体管逻辑,Transistor—Transistor Logic,TTL。这种东西和一般芯片差不多,都是用一堆晶体管来实现逻辑的。
互补金属氧化物,Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS。CMOS芯片是由一组金属氧化物场效应晶体管组成的。
TTL芯片对于电流敏感,对电压不敏感。而CMOS芯片对电压敏感。我总算明白为什么CMOS对于微小的波动这么敏感了......
PS:上面的表格漏了一项:
输入阻抗:TTL:低;CMOS:极高。
扯了大半天,我还是想知道,用LS代的芯片代替HC代芯片追频可行吗?
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冻土作者
15年1个月前IP:未同步
341583
10楼
再追加一个问题,MMC可以用MKPH电容吗?
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冻土作者
15年1个月前IP:未同步
341720
15楼
回 14楼(black) 的帖子
尽管我瞎扯了半天,但是,74LS08可以代替74HC08吗?
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冻土作者
15年1个月前IP:未同步
341723
16楼
回 3楼(专打贾君鹏) 的帖子
决定了,买两个CM50DY-12H。
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冻土作者
15年1个月前IP:未同步
341729
18楼
回 17楼(专打贾君鹏) 的帖子
谢了......
话说,如果用两个CM50DY-12H,大概可以达到1到2千瓦吧?如果这样,用6毫米的铜管绕初级线圈可以吗?
无论如何,在装上CM50之前,我还是决定先拿250搭个小全桥当替死鬼试试......阴险地笑了。
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冻土作者
15年1个月前IP:未同步
342354
21楼
回 20楼(slof) 的帖子
那么。用Steve的那个DR4电路,把74HC08换成74LS08可以吗?理论上,初级反馈回来的电流不会大,用对电流敏感的LS好像有点不合适吧?
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冻土作者
15年1个月前IP:未同步
342355
22楼
PS:我用的是CM50DY-12H,资料里面说它适合高速开关。
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我也是有底线的