组装好后 在92MHZ能听到载播 对话筒吹起有沙沙声音 随断定话筒问题 更换Ｒ１ 从10K欧换到47K欧 声音仍没有改变
电路装配1如图![2226210640.jpg]()
电路装配1如图
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R1两端电压2.73V 电流22K欧时0.7MA
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从图（1）电路可见分两级，一级音频放大器和一级RF振荡器。
驻极体话筒内实际藏有一枚FET，如您喜欢的话，可视之为一级，FET将话筒前振膜之电容变化放大，这就是驻极休话筒很灵敏的原因。
音频放大级乃由其射极晶休管Q1担任，增益约20至50，将放大的讯号送往振荡级之基极。
振荡级Q2工作于约88MHz之频率，这频率由振荡线圈（共5圈）和47pF电容器调整的，该频率也决定于晶体管、18pF回输电容器及还有少数偏压元件，例如470Ω射极电阻和22K基极电阻。
电源接通时，1nF基极电容器通过22K电阻逐渐充电，而18pF则经振荡线圈的470Ω电阻充电，但更加之快，47pF电容也充电（其两端虽仅得小的电压），线圈产生磁场。
基极电压渐渐上升时，晶体管导通，并有效地将内阻并接在18pF两侧。当1nF电容充电至该极的工作电压时，就会发生好几个杂乱的周波，故此，我们假定讨论在靠近工作电压之时。
基极电压继续上升，18nF电容试图阻止射极用压的移动，到电容器内的能量耗尽及再不阻止射级移动之时，基一射极电压降低，晶体管截止，流人线圈的电流也停止，磁场衰溃。
磁场衰溃，产生一个相反方向的电压，集极电压反过来从原本的2.9V上升至超过。3V，并以相反方向47pF电容充电，这电压也影响到对18pF电容充电，及470Ω射极电阻上的电压降使到晶休管进入更深的截止。
18pF电容充电时，射电压下跌，并跌到某一晶休管开始导通，电流流入线圈，与衰溃磁场对抗。
线圈上之电压反转，形成集极电压下降，这个变化通过18pF电容传送到射极上，结果晶休管进入更深的导通，把18pF电容短路，周期再开始重复。
故此，Q2在此形成一个振荡，产生88MHz的交流讯号。放大后之音频讯号经0.1uF电容溃入到！Q2之基极，改变振荡频率，产生所需的FM讯号。
驻极体话筒内实际藏有一枚FET，如您喜欢的话，可视之为一级，FET将话筒前振膜之电容变化放大，这就是驻极休话筒很灵敏的原因。
音频放大级乃由其射极晶休管Q1担任，增益约20至50，将放大的讯号送往振荡级之基极。
振荡级Q2工作于约88MHz之频率，这频率由振荡线圈（共5圈）和47pF电容器调整的，该频率也决定于晶体管、18pF回输电容器及还有少数偏压元件，例如470Ω射极电阻和22K基极电阻。
电源接通时，1nF基极电容器通过22K电阻逐渐充电，而18pF则经振荡线圈的470Ω电阻充电，但更加之快，47pF电容也充电（其两端虽仅得小的电压），线圈产生磁场。
基极电压渐渐上升时，晶体管导通，并有效地将内阻并接在18pF两侧。当1nF电容充电至该极的工作电压时，就会发生好几个杂乱的周波，故此，我们假定讨论在靠近工作电压之时。
基极电压继续上升，18nF电容试图阻止射极用压的移动，到电容器内的能量耗尽及再不阻止射级移动之时，基一射极电压降低，晶体管截止，流人线圈的电流也停止，磁场衰溃。
磁场衰溃，产生一个相反方向的电压，集极电压反过来从原本的2.9V上升至超过。3V，并以相反方向47pF电容充电，这电压也影响到对18pF电容充电，及470Ω射极电阻上的电压降使到晶休管进入更深的截止。
18pF电容充电时，射电压下跌，并跌到某一晶休管开始导通，电流流入线圈，与衰溃磁场对抗。
线圈上之电压反转，形成集极电压下降，这个变化通过18pF电容传送到射极上，结果晶休管进入更深的导通，把18pF电容短路，周期再开始重复。
故此，Q2在此形成一个振荡，产生88MHz的交流讯号。放大后之音频讯号经0.1uF电容溃入到！Q2之基极，改变振荡频率，产生所需的FM讯号。
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话说载波输出很稳定 一点杂音都没有 调到92MHZ很清楚 冲话筒吹起就能跳到呜呜的声音 但是说话就听不见 我怀疑是话筒或者R1的问题 话筒是mp3上拆下来的
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C5用的20P的瓷片代替了 我也有0—39P的可调整 没舍得用
C1电容的负极接的三极管 正极接的话筒
话说 柱极体话筒正负极接反了可以吗 我用万用表测完了在接上的
C4 由一个6P 一个33P 一个10P的瓷片并联的 估计不会是那的问题啊
C1电容的负极接的三极管 正极接的话筒
话说 柱极体话筒正负极接反了可以吗 我用万用表测完了在接上的
C4 由一个6P 一个33P 一个10P的瓷片并联的 估计不会是那的问题啊
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ksama
学者 笔友
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