哗一声叫。。。 [s:275] 恭喜你，是好的，要关掉mos就要给G极放电，导通就要充电
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场管好坏测量求助
因为不久前把好的坏的场管混在一起了，所以今天想把他们分开一下，，
结果碰到一种我无法理解的情况，，
我用万用表二极管档测(短接表笔会“哔----”叫的)，，，
红表笔接D，黑表笔接S，木有反映，，，
然后在G和S间加上6V电压，，
万用表叫了，证明DS通了，，，
然后我把6V电压撤走，，，
结果万用表还是在叫，，，，
我把表笔移开在接上，还是会叫，，，
然后我短接一下G和D，，，
再测D和S就不通了，，，
那这样算是好的还是坏的？？
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又出现问题了，测到一枚IRF640，直接测DS不通，GS接上6V以后，看到万用表上的数字慢慢从1999减小，，过了1.5秒所有完全导通了······
结果碰到一种我无法理解的情况，，
我用万用表二极管档测(短接表笔会“哔----”叫的)，，，
红表笔接D，黑表笔接S，木有反映，，，
然后在G和S间加上6V电压，，
万用表叫了，证明DS通了，，，
然后我把6V电压撤走，，，
结果万用表还是在叫，，，，
我把表笔移开在接上，还是会叫，，，
然后我短接一下G和D，，，
再测D和S就不通了，，，
那这样算是好的还是坏的？？
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又出现问题了，测到一枚IRF640，直接测DS不通，GS接上6V以后，看到万用表上的数字慢慢从1999减小，，过了1.5秒所有完全导通了······
直接测电阻就好了嘛。。。GD GS DS，满足pdf里的参数基本还好
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GS之间有电容的，这个也是MOS自身形成的，所以说开关频率越高推动的功率需要越大，是因为频率高的话对能那个电容充电的时间就更短，需要在更短的时间里充满那个电容，驱动的功率就要更大。一般在用的MOS里IRF640的电容是比较小的，250这些管子非常大，而射频MOS由于需要在非常高的频率下开关，其GS电容非常小，只有几个p
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