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基础原理
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t52446
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帮推荐一个导通电阻较小的MOS管
yuanjue
2012/11/23
电子技术
IP:北京
再做一个半桥的离子扬声器电路,需要用到两个MOS管,现在用的是IRF250,导通电阻(RDS)在85mΩ左右。电路工作后发现两个MOS管发热比较厉害,因此想换导通电阻较小的MOS管,希望导通电阻(RDS)在毫欧的级别。因为电路有尖波出现,因此对耐压值也比较高,最好能达到百伏的级别。
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基础原理
9
0
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奶酪
14年1个月前
IP:未同步
472753
1楼
IRF3207 75V 3.6mΩ
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奶酪
14年1个月前
IP:未同步
472755
2楼
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
自己查,很方便~
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奶酪
14年1个月前
IP:未同步
472758
3楼
不过话说回来,发热的原因仅仅是内阻造成的么。。。
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小猪猪_
14年0个月前
IP:未同步
479210
4楼
我用的是460管,初级并联电容,使工作在ZVS状态,几乎无发热,楼主,内阻造成的发热是很小的。去翻翻论坛里老贴子吧,但是用在等离子扬声器上由于占空比会改变,就不能ZVS了,但是还是有效减少发热的。
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小特斯拉圈圈
14年0个月前
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479233
5楼
IRFB4310 100V 140A 5.6mΩ
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北落师门
14年0个月前
IP:未同步
479360
6楼
推动感性负载产生的发热主要是由尖峰造成的,不是内阻
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yanli12321
14年0个月前
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479458
7楼
同LS,纯粹靠内阻发热的话用欧姆定律就可以算出电流是多么离谱.........
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山寨雷神公司
14年0个月前
IP:未同步
479558
8楼
同LS 驱动波形不好发热一样变态
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