stm32 输出两路互补的 spwm信号 经过RC滤波后是这样的
通道1在占空比最大的时候 通道二占空比最小反之亦然，这样的两路方波信号送到全桥 出来的会是 纯正弦波？
![IMG_20140127_185319.jpg]()
通道1在占空比最大的时候 通道二占空比最小反之亦然，这样的两路方波信号送到全桥 出来的会是 纯正弦波？
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IR2110 占空比太大会烧
IR2110 IR2113 占空比太大会烧，有其他人遇到过吗？目前已经烧掉三个通道了，还有在实验spwm的时候有时占空比达到90%以上或者%10以下时 2113的输出会是一条直线
电路设计的问题吧？IR2110怎么还会烧→_→
楼主在搞正弦逆变器吧？
全桥输出还要再滤波一下，要不波形有高频毛刺
屹晶微的正弦逆变器模块就是EG8010＋IR2110方案，楼主找电路图看看吧，我这有倒是有，可惜这垃圾手机传不了……这模块*宝卖25，楼主买个研究研究啊~~~
楼主在搞正弦逆变器吧？
全桥输出还要再滤波一下，要不波形有高频毛刺
屹晶微的正弦逆变器模块就是EG8010＋IR2110方案，楼主找电路图看看吧，我这有倒是有，可惜这垃圾手机传不了……这模块*宝卖25，楼主买个研究研究啊~~~
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左哥 发表于 2014-1-28 20:24
电路设计的问题吧？IR2110怎么还会烧→_→
楼主在搞正弦逆变器吧？
全桥输出还要再滤波一下，要不波形有 ...
确实玩着玩着 三个通道就不输出了，可能他的 最小和最大占空比没有这么 小和大，
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2110确实很鬼触 对布线的要求比较高 逻辑地和功率地处理不好就会Boom!
窝当时没少爆 也没整好 最终还是TLP250好 占空比无所谓 频率不超过25K那就绝壁没问题
另外 2110在占空比小或者大时 会不会导致自举电容充电异常呢 瞎猜的呢
![Untitled.png]()
窝当时没少爆 也没整好 最终还是TLP250好 占空比无所谓 频率不超过25K那就绝壁没问题
另外 2110在占空比小或者大时 会不会导致自举电容充电异常呢 瞎猜的呢
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本帖最后由 novakon 于 2014-3-3 14:32 编辑
当你的占空比过小或者过大的时候，可能导致意想不到的结果。参考IR2110的手册。
脉冲宽度过小的时候，这个脉冲宽度所利用的能量，可能跟为了输出这个脉冲而导致的开关损耗差不多。
mos驱动器的高端驱动电压，是用一个bootstrap电容提供的，high side mos 截止时，电容从电源充电；high side mos导通时，这个电容被抬高至mos S端电压，提供了一个 比high side mos的S端电压还要高出 Vcc 的电压以使high side mos导通。
然而bootstrap电容上的电压会慢慢下降，因为驱动ic有漏电流。所以必须反复充电。
所以如果长时间保持驱动信号为高，bootstrap电容无法再充电，高端mos 的G极的电压会慢慢下降，导致烧管。
建议：增大bootstrap电容，并设计一个计时逻辑电路防止高端驱动信号一直为高（错误的占空比设置，stm32调试中断，等等情况）。
当你的占空比过小或者过大的时候，可能导致意想不到的结果。参考IR2110的手册。
脉冲宽度过小的时候，这个脉冲宽度所利用的能量，可能跟为了输出这个脉冲而导致的开关损耗差不多。
mos驱动器的高端驱动电压，是用一个bootstrap电容提供的，high side mos 截止时，电容从电源充电；high side mos导通时，这个电容被抬高至mos S端电压，提供了一个 比high side mos的S端电压还要高出 Vcc 的电压以使high side mos导通。
然而bootstrap电容上的电压会慢慢下降，因为驱动ic有漏电流。所以必须反复充电。
所以如果长时间保持驱动信号为高，bootstrap电容无法再充电，高端mos 的G极的电压会慢慢下降，导致烧管。
建议：增大bootstrap电容，并设计一个计时逻辑电路防止高端驱动信号一直为高（错误的占空比设置，stm32调试中断，等等情况）。
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为了解决占空比过大过小时，开关损耗过大（如果占空比足够小或者足够大，则可能某个脉冲的开关损耗，反而大于这个脉冲传输的能量）的问题，算法上要做一些改进，例如占空比过小时可以进入delta sigma模式，对占空比进行积分，达到一定脉冲宽度才释放。
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