有图有真相，求尸体图
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市电ZVS大作死 [无照片]
把双电感ZVS{TVS代替稳压管,电容0.3uF,电感200uH 2*3mm扁铜线,管子用的未知型号的高压MOS(非IGBT)耐压1200V,电流80A}输入加半波整流后直接接入市电,输出接普通彩包
开关接通后前两秒,高压包输出高压大电流,击穿15cm空气,电弧飘起50cm左右.
之后......电弧击穿了整个高压包,初次级打火,高压倒灌,瞬间所有半导体器件击穿,30A保险管炸管(陶瓷的真是直接就炸了,灰也不剩),........悲剧
Ps:板子是直接扔地下的所以高压倒灌后TVS没起到啥作用,ZVS挂掉后,地黑了.
未测得实验数据,由于以为一上电就炸管所以没录像,准备过段时间做市电ZVS感应加热.
Ps:这货能不能直接推特斯拉?
开关接通后前两秒,高压包输出高压大电流,击穿15cm空气,电弧飘起50cm左右.
之后......电弧击穿了整个高压包,初次级打火,高压倒灌,瞬间所有半导体器件击穿,30A保险管炸管(陶瓷的真是直接就炸了,灰也不剩),........悲剧
Ps:板子是直接扔地下的所以高压倒灌后TVS没起到啥作用,ZVS挂掉后,地黑了.
未测得实验数据,由于以为一上电就炸管所以没录像,准备过段时间做市电ZVS感应加热.
Ps:这货能不能直接推特斯拉?
哈，作死啊。。这么高电压MOS驱动供电还不分开，470的电阻加220V电压，在稳压管有多大压力啊。。而且稳压管一挂直接穿管
而且这高压包。。。我估计自绕高压包都顶不住
另外换新图吧。。。搜下
![976A8FF45296CE67134A3DE4CEF26DA5.jpg]()
不太清楚。但这个图是可以直接上市电的
而且这高压包。。。我估计自绕高压包都顶不住
另外换新图吧。。。搜下
不太清楚。但这个图是可以直接上市电的
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老大，应该拍视频的。。。喷弧50cm[s:14]。。。比sgtc还猛[s:14]自绕高压包丢到变压器油里面，看看还击穿不[s:12]
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兰若，公主魂 发表于 2014-3-8 14:00
老大，应该拍视频的。。。喷弧50cm。。。比sgtc还猛自绕高压包丢到变压器油里面，看看还击穿不 ...
一开始以为一上电就炸,所及没准备录像,下次改一改电路再试的时候会录的
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baiwenglong 发表于 2014-3-8 06:42
哈，作死啊。。这么高电压MOS驱动供电还不分开，470的电阻加220V电压，在稳压管有多大压力啊。。而且稳压管 ...
吧470电阻换成5K的可以吗?
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本帖最后由 hanbreen 于 2014-3-8 17:26 编辑
既然MOS未知型号，是怎么知道耐压1200，电流80的？说实话，耐压1200伏的MOS管有，但是同时电流能达到80A的MOS管还真没见过。
既然MOS未知型号，是怎么知道耐压1200，电流80的？说实话，耐压1200伏的MOS管有，但是同时电流能达到80A的MOS管还真没见过。
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hanbreen 发表于 2014-3-8 17:23
既然MOS未知型号，是怎么知道耐压1200，电流80的？说实话，耐压1200伏的MOS管有，但是同时电流能达到80A的M ...
这些直接写在了管子上,还标明了G D S
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超新星のktjc 发表于 2014-3-9 13:08
这些直接写在了管子上,还标明了G D S
感觉有点假。。。
这种该用IGBT了吧。。。
80A的高压MOS一般都是模块了吧，但是耐压同时到了1200V。。。我感觉只有IGBT能达到吧
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baiwenglong 发表于 2014-3-9 17:06
大概不可以。。
最好的办法就是分离供电，G级用单独电源+图腾推动。。。这样最安全
想直接用电阻分压，把电压降到20v左右，因为电阻大tvs压力也能小点。不过那好像就的串100K的电阻了，好像电阻大了电能传递会变慢？
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超新星のktjc 发表于 2014-3-9 22:10
想直接用电阻分压，把电压降到20v左右，因为电阻大tvs压力也能小点。不过那好像就的串100K的电阻了，好像 ...
我说。。用外接电源。。用外接电源啊
靠TVS来控制电压不是个正经方法，可靠性不行的
而且电阻大了驱动内阻大，效率就下来了。。。
所以外加电源+图腾柱放大驱动
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本帖最后由 lovevirus 于 2014-6-29 00:05 编辑
我觉得对于zvs市电应该学学对称半桥方案，从两个滤波电容中间取电，这样电压降低一半，管子就安全多了，驱动供电的电阻估计也要改改，实在不行增加个绕组
我觉得对于zvs市电应该学学对称半桥方案，从两个滤波电容中间取电，这样电压降低一半，管子就安全多了，驱动供电的电阻估计也要改改，实在不行增加个绕组
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no pictures no XX.
一般MOS管的命名规律不以电流参数为标准标在管身，而多见以型号代称标出批次。
第二点除了模块，不会有管子把GDS标出来，如果有特例那么很好逆向寻找。
第三点如果直标，那么IGBT非常常见，但是并不一定为真值，如40N可能为70A。
第四点我超过很多电视机高压包，击穿距离最大不会超过7cm。击穿距离达到15cm非常令人难以理解。
如果达到这么高的压匝比，很难保证不是磁芯先饱和。
就楼主提供的所有参数来说，不谈MOS问题，所有元件都工作在极为极端的条件下。
所以楼主最好拿出有说服力的图片来证明自己不是在YY。
一般MOS管的命名规律不以电流参数为标准标在管身，而多见以型号代称标出批次。
第二点除了模块，不会有管子把GDS标出来，如果有特例那么很好逆向寻找。
第三点如果直标，那么IGBT非常常见，但是并不一定为真值，如40N可能为70A。
第四点我超过很多电视机高压包，击穿距离最大不会超过7cm。击穿距离达到15cm非常令人难以理解。
如果达到这么高的压匝比，很难保证不是磁芯先饱和。
就楼主提供的所有参数来说，不谈MOS问题，所有元件都工作在极为极端的条件下。
所以楼主最好拿出有说服力的图片来证明自己不是在YY。
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引用 rb-sama:各种暴力堆元件来着，现在都烧光了。当初实验各种都烧光了。现在高三等高考完了，重做一个录视频。
no pictures no XX.
一般MOS管的命名规律不以电流参数为标准标在管身，而多见以型号代称标出批次。
第二点除了模块，不会有管子把GDS标出来，如果有特例那么很好逆向寻找。
第三点如果直标，那么IGBT非常常见，但是并不一定...
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引用 rb-sama:我用250的管子做的无抽头ZVS推高压包输入60V 5.6A 高压包输出击穿确实有差不多7厘米
no pictures no XX.
一般MOS管的命名规律不以电流参数为标准标在管身，而多见以型号代称标出批次。
第二点除了模块，不会有管子把GDS标出来，如果有特例那么很好逆向寻找。
第三点如果直标，那么IGBT非常常见，但是并不一定...
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我用500W开关电源供给双电感ZVS，高压包打火电极直接熔成小铜球。。。然后没几秒高压包就歇菜了（没炸，但就是拉不了弧勒。。）。。。是不是我太暴力了。。。:-(
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引用 浩瀚星夜WXH:我每次直接拉弧电极都会融掉啊.
我用500W开关电源供给双电感ZVS，高压包打火电极直接熔成小铜球。。。然后没几秒高压包就歇菜了（没炸，但就是拉不了弧勒。。）。。。是不是我太暴力了。。。:-(
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