文号
897073
阅读
26766
回复
14
收藏
10
HFSSTC经常击穿MOS管
UECMITSUI
2021/09/16
高电压技术
IP:辽宁

最近一直在做高频特斯拉线圈，电子管和mos管的两种电路都做了。但是mos管那个电路总是击穿mos管，已经击穿120多只了。如果在DS之间加上440V的TVS二极管则TVS二极管自身会击穿过热报废。而且发现电路运行几十秒后电弧会减短，不知道是为何。有没有人知道这是为什么。

Screenshot_2021-09-13-18-35-19-06.jpg -78451c36a129e78d.jpg IMG20210917103126.jpg IMG20210917103131.jpg IMG20210917103137.jpg


[ 修改于5年2个月前 - 2021/09/17 10:35:12 ]
来自：
电气工程/高电压技术/特斯拉线圈
14
全部只看作者
氦
5年2个月前IP:山东
897077
1楼

早就听说过HF容易炸管，所以一直不敢做，估计是频率高的原因吧，不过炸120多个管子。。。有点吓人。。。

引用
评论
UECMITSUI作者
5年2个月前IP:辽宁
897082
2楼
引用氦发表于1楼的内容
早就听说过HF容易炸管，所以一直不敢做，估计是频率高的原因吧，不过炸120多个管子。。。有点吓人。。。

嗯，这个电路我总共用万能板焊接了6次，每次都布局不同。只有一次的效果特别好，用IRFP250N假管功率上到了200W还能连续工作一晚上，可惜几十个小时之后板材过热击穿了。当时没想到布局对效果有很大影响于是按照“美观”重新布线了一个，结果直接炸管，再也不喷弧。现在重新制作了一个，能喷弧，但是不稳定，而且还是容易炸管。

引用
评论
fleefly
5年2个月前修改于 5年2个月前IP:天津
897086
3楼

建议C4要和MOS管脚距离尽可能短，最好直接焊上MOS管脚上。C4如果能用云母电容就更好了。

引用
评论(1)
UECMITSUI作者
5年2个月前IP:辽宁
897091
4楼
引用fleefly发表于3楼的内容
建议C4要和MOS管脚距离尽可能短，最好直接焊上MOS管脚上。C4如果能用云母电容就更好了。

好的谢谢你，我去试试。但是为何要用云母电容呢？不太理解。我用的是开关电源里面的那个蓝色Y电容

引用
评论
fleefly
5年2个月前IP:天津
897103
5楼

安规Y电容高频性能不好，而且失效时容量会慢慢变小。如果要用最好多个小电容并联。

引用
评论(2)
UECMITSUI作者
5年2个月前IP:辽宁
897148
6楼

现在明白了应该是温度升高之后导通电阻变大引起的电弧变化

引用
评论
UECMITSUI作者
5年2个月前IP:辽宁
897154
7楼

IMG20210920171513.jpg IMG20210920171531.jpg

现在功率上到了240W，80V@3A

引用
评论
KCA4356
4年11个月前IP:浙江
898871
8楼
引用UECMITSUI发表于7楼的内容
[图片][图片]现在功率上到了240W，80V@3A

请问你最后是怎么管子击穿解决这个问题的，我最近也在弄这个

引用
评论
KCA4356
4年11个月前IP:浙江
898877
9楼
引用UECMITSUI发表于7楼的内容
[图片][图片]现在功率上到了240W，80V@3A

为什么你的次级线圈有两根引出线?

引用
评论
UECMITSUI作者
4年11个月前IP:辽宁
898886
10楼
引用KCA4356发表于9楼的内容
为什么你的次级线圈有两根引出线?

两根并联的，为了增大载流量，顺便利用一下接插件。

引用
评论(3)
UECMITSUI作者
4年11个月前IP:辽宁
898887
11楼
引用KCA4356发表于8楼的内容
请问你最后是怎么管子击穿解决这个问题的，我最近也在弄这个

稳压管用5V的更好。在我测试的irfp系列mos管中，用IRFP250N这个型号的管子效果较好[要选择结电容小的管子]，MOS管涂导热硅脂加散热片，放在水中冷却。mos管门极并联电容容量和管子结电容差不多容量。调试时可变电容先调到最大容量上电，再慢慢减小容量同时测试放电效果。电抗器可以用电磁炉电感，我用磁控管灯丝高频扼流圈两个串联作这个电感效果不错。如果用开关电源供电还需注意共模干扰的问题，会造成电源不稳定，容易击穿mos管。最后就是注意一下布线问题。

引用
评论(2)
m24h
4年10个月前IP:上海
899945
12楼

我觉得可以考虑阻容吸收电路来吸收高峰 第二个原因不难 工作时间久了 管子升温了 阈值电压降低 冷时的最佳偏置电压就不是最佳了 电弧自然会变化

引用
评论
LoserWong
4年10个月前IP:浙江
900081
13楼

用GaN管试一下，igt60r070d1才10块钱一只…

看高频性能还不多

引用
评论
科创用户018
2年11个月前IP:河北
927212
14楼

可以用晶振推图腾柱在推mos管，完全与高压隔离，并且晶振是方波，发热小

引用
评论
全部只看作者
笔记
{{note.content}}
{{n.user.username}}
{{fromNow(n.toc)}} {{n.status === noteStatus.disabled ? "已屏蔽" : ""}} {{n.status === noteStatus.unknown ? "正在审核" : ""}} {{n.status === noteStatus.deleted ? '已删除' : ''}}
  • 编辑
  • 删除
  • {{n.status === 'disabled' ? "解除屏蔽" : "屏蔽" }}
我也是有底线的