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关于场效应管电流计算问题,教科书上的公式,我为什么算的偏差很大
2021/12/20
IP:福建

MOSFET 教科书上有这个公式, 但是我去套用,发现公式算出来的和datasheet差距好大, 为什么


Ids=Ido(Ugs/Ugs(th)-1)^2


比如 2N7000这个管子,  Ido 是 Ugs = 2Ugs(th) 时的iD, 参数套进去, 和表差距太多了. 还请各位大哥,教教小弟


4年11个月前IP:广东
899683
1楼

可能你测量的区域是亚阈值区域,在此区域Ids是成指数函数依赖于Vgs的,而不太遵从你列的公式。也可能是这个管子的Id0和Vth离散性较大。需要具体测量分析。


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评论(1)
javahou作者
4年11个月前IP:福建
899686
2楼

但是我看了几本书,都是这样, 而且不只是2N7000管子,我手上的管子都是这样, 如果这样这公式存在的意义是?


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4年11个月前IP:江苏
899699
3楼


2n7000手册上看Vgs(th)的min/max是不是差别比较大啊

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评论(1)
4年11个月前IP:上海
899715
4楼

你看的是哪里的表 我去看了一下2N7000的Id-Vgs图 感觉平方关系还蛮符合的

而且这个关系应该是饱和区的关系 会不会你看了夹断前的

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评论(2)
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我也是有底线的