可能你测量的区域是亚阈值区域,在此区域Ids是成指数函数依赖于Vgs的,而不太遵从你列的公式。也可能是这个管子的Id0和Vth离散性较大。需要具体测量分析。
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评论(1)
MOSFET 教科书上有这个公式, 但是我去套用,发现公式算出来的和datasheet差距好大, 为什么
Ids=Ido(Ugs/Ugs(th)-1)^2
比如 2N7000这个管子, Ido 是 Ugs = 2Ugs(th) 时的iD, 参数套进去, 和表差距太多了. 还请各位大哥,教教小弟
可能你测量的区域是亚阈值区域,在此区域Ids是成指数函数依赖于Vgs的,而不太遵从你列的公式。也可能是这个管子的Id0和Vth离散性较大。需要具体测量分析。