衔接上次,我还是意识到那个拓扑关断太慢的原因是回收压差为0,觉得还是半桥比较可行。
半桥自带续流管,所以这次简单的把半桥中间的那个线圈换成了一排scr和线圈,这样回路中就有3个管,不妨就把scr叫作中管。
半桥驱动用这个常用的电路,但现在行不通。上管没有动作。将中管短路,上下管又能正常通断;将光耦高压输入端连到虚地端,上下管也能工作但是电流很小,中管没有触发,电流全部由g极到k极。
按说上管和中管的g极电荷都是相互隔离的,这样浮置电容应该不受影响才对,但现在并非如此。在正确的驱动摸索出来前都只能偶尔触发,这可不行,驱动方案必须大改。
这个自举电容虽然起到悬浮作用,但并不隔离,所以用隔离电源模块效果会更好。奇怪的是,使用单片机将817和2110同时触发的话,电路中各个信号都正常,上管Vge甚至都有15v,只有中管没触发。改成手动,发现scr信号必须比半桥的早才可以触发,只需要在程序里延迟20μs就行,不过没试几次又不动了。scr由电流触发,没反应只能是电流不够。于是干脆就把驱动电阻由100Ω改为2Ω,直连scr可以触发了,但是通过817就不行。看来触发电流还是不够,因为817输出只有1A。光耦换成tlp363,然后就一定能够触发了,直到190v也能用,也能关断。但半桥必须两个管同时关断才有意义,试射时弹速远达不到预期,而且能量消耗很大,看来上管没有正常关断。之前普通半桥也是这样,不过用的是上图的驱动。
下面是测试完毕的电路图,但上管驱动仍有待改进。
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