视频链接把“。”改成“. ”，把“，”去掉。怎么感觉图挂了？
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555+630+高压包+8nF高压电容=4厘米放电电弧（有视频）
电路555驱动630（mosfet），高压包原边线圈12圈，40kV高压电容8.2nf标称（实测6.5nF）；
产生4厘米电弧，空气湿度65%，温度12摄氏度。
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视频链接v。you，ku。co，m/v_sh，ow/id_XMjI2ODE4MDA4。ht，ml距离再增大，高压包自带的原边会发生击穿，出现高压闪络，从而把能量释放掉，导致高压电容两端电压不能上升，另外在加大占空比的时候电容会有滋滋声，说明也电压接近或者已超过标称电压40kV。教科书上的空气击穿电场是30-40kV/cm，考虑空气湿度保守一些的起弧场强有10-20kV/cm的电场，那么现在的输出电压有40-80kV。
原边电流有接近5A，mosfet的G极接上TVS可以明显减小发热量，之前实验的过程中莫名其妙烧掉了仅有的一个IGBT，不舍得再买了，使用IGBT时在不加高压电容的时候可以非常容易产生等离子体焰，MOSFET跟IGBT的效果还是差了许多的，大家可以尝试一下，烧掉的IGBT是仙童的25N120二十块出头。
比较担心高占空比情况下高压包会短命，如果坏了就可以速度绕一个，顺便请教绕高压包副边的绝缘介质选什么好一些？！
产生4厘米电弧，空气湿度65%，温度12摄氏度。
视频链接v。you，ku。co，m/v_sh，ow/id_XMjI2ODE4MDA4。ht，ml距离再增大，高压包自带的原边会发生击穿，出现高压闪络，从而把能量释放掉，导致高压电容两端电压不能上升，另外在加大占空比的时候电容会有滋滋声，说明也电压接近或者已超过标称电压40kV。教科书上的空气击穿电场是30-40kV/cm，考虑空气湿度保守一些的起弧场强有10-20kV/cm的电场，那么现在的输出电压有40-80kV。
原边电流有接近5A，mosfet的G极接上TVS可以明显减小发热量，之前实验的过程中莫名其妙烧掉了仅有的一个IGBT，不舍得再买了，使用IGBT时在不加高压电容的时候可以非常容易产生等离子体焰，MOSFET跟IGBT的效果还是差了许多的，大家可以尝试一下，烧掉的IGBT是仙童的25N120二十块出头。
比较担心高占空比情况下高压包会短命，如果坏了就可以速度绕一个，顺便请教绕高压包副边的绝缘介质选什么好一些？！
使用中的注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
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我家温度20度湿度25度要是按照30-40kV/cm的话我的高压包可以达到80~90kv两厘米多就击穿（最大拉弧13cm没穿硅堆）
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25N120这也太垃圾了。。47N60场效应管才叫给力。。峰值140A。。25N120峰值才50A。。差得远了。还有LS。。80KV的击穿距离少说也有7CM吧。。是高压包可以达到的？？
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