两个图的C均与L串联，不过第一个图用的是倍压整流电路，相当于LC的一端接地，另一端交替与正电源和负电源导通而产生振荡的，类似于SEPP单端推挽功放的原理，而第二个图如果只用1个C与L串联，原来两个C的地方就是导线，电源直接短路，所以要在电源两端各接一个C，L的一个极接两个C的中点，也就是中点电位，另一个极交替与正电源和地导通而产生振荡，，，第一个图的正负半波都是由C4和L1完成的，而第二个图的正半波是由C7和L1完成的，负半波是由C8和L1完成的，所以要注意C7与C8容量的匹配问题，容量不匹配，正负半波的LC谐振频率就不相等了，，，由此可见，第一个图加到LC谐振回路上的电压是1倍电源电压，而第二个图加到LC谐振回路上的电压是½倍电源电压。。。还有，两个图的管子G极保护都不完善，应该是在GDT变压器输出接IGBT或MOSFET的G极之间串联一个5Ω左右的电阻，再在电阻上反向并联一个肖特基或快恢复，例如1N5819，然后再在IGBT或MOSFET的G极接两个反向串联的稳压管到GDT的另一极，稳压值比IGBT的GE击穿电压或MOSFET的GS击穿电压略低即可。