其实是一样的只不过有个的初级里面是加了电容的。总的来说结构是一样的，只是布线不同。

没有太大区别，最直接的图1和图2的驱动耦合方式不同，图1是直接耦合，图2是变压器耦合。这样图1有个小问题，就是E_1和E_2网络不是等电位的，前面的驱动板需要浮地。区别2是在图1中电感L1和二极管D11或D12串联谐振，在图2中电感L2和C7或C8串联谐振。

个人更喜欢图1的电路，可以嫁接一下图2的驱动变压器。

一图是半波倍压整流，二图是全波不倍压整流

谢谢，看出来了。

第一个的CE、GE之间均有齐纳管构成的钳位保护，第二个则没有。相对于管子的安全性，第一张图稍微高一些。

第一个倍压整流，大电解桥臂，带MMC，功率比较大的DRSSTC用
第二个大约是小型SSTC用的

功率管不同  一个是igbt  一个是场效应

两个图的C均与L串联，不过第一个图用的是倍压整流电路，相当于LC的一端接地，另一端交替与正电源和负电源导通而产生振荡的，类似于SEPP单端推挽功放的原理，而第二个图如果只用1个C与L串联，原来两个C的地方就是导线，电源直接短路，所以要在电源两端各接一个C，L的一个极接两个C的中点，也就是中点电位，另一个极交替与正电源和地导通而产生振荡，，，第一个图的正负半波都是由C4和L1完成的，而第二个图的正半波是由C7和L1完成的，负半波是由C8和L1完成的，所以要注意C7与C8容量的匹配问题，容量不匹配，正负半波的LC谐振频率就不相等了，，，由此可见，第一个图加到LC谐振回路上的电压是1倍电源电压，而第二个图加到LC谐振回路上的电压是½倍电源电压。。。还有，两个图的管子G极保护都不完善，应该是在GDT变压器输出接IGBT或MOSFET的G极之间串联一个5Ω左右的电阻，再在电阻上反向并联一个肖特基或快恢复，例如1N5819，然后再在IGBT或MOSFET的G极接两个反向串联的稳压管到GDT的另一极，稳压值比IGBT的GE击穿电压或MOSFET的GS击穿电压略低即可。

错，总体区别很大，详见9楼。

一派胡言！！！还耦合方式不同，别告诉我屎涕夫这经典图纸你没看过！这只是后级，GDT变压器没画而已！对，E1、E2不等电位，最高电势差170V左右，就算你浮地了，难道你不隔离吗？等着炸管加触电吧！我从未见过不用GDT变压器的DRSSTC！还有，你家电感能和二极管谐振，你家二极管真神！好好看看C4是啥！还有3楼，我都懒得骂了！！！不明白的上9楼自己看！！！纯属误导！！！不明白的别瞎说！！！坑爹呢！！！回家眯着去吧！！！图纸奉上！！！