场效应管结电容较大，用10K以上的输出阻抗的电压源对其进行充电会导致充电速度慢，进而导致管子损耗很大，在短时间内MOS承担了很大的功率远远超过了它能承受的最大功率（uds*ids).
我看不出这个电路是干什么用的，如果是为了搞延时电磁铁，用场效应管+延时电路（比如555，或者单片机）都可以啊。
场效应管触发电压要恒定，那个电容的电压是衰减的，场效应管会半导通，会损耗过大损坏。
你可以告诉我你要实现一个什么目的，我帮你设计一个电路。