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国产的蓝绿光LED芯片
拔刀斋
2009/07/04
电子技术
IP:安徽
类似IR GaN MOSFET的硅衬底工艺，不是常见的蓝宝石衬底
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
[产品特性]
1、产品抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高。
2、芯片为上下电极，单引线垂直结构，可简化封装工艺、降低封装成本。
2009.6.3_9.6.20_2798.jpg 2009.6.3_9.8.10_8052.jpg   

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来自：
电子信息/电子技术
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拔刀斋作者
17年6个月前IP:未同步
124189
3楼
引用第2楼TUNGUSKA于2009-07-04 19:46发表的  :
我的直觉是很差,很便宜,很山寨....

确实很差,很山寨，还未必便宜
但是技术很特别，GaN-on-Si，有发展为MOSFET的潜力
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