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IR2113半桥驱动问题
2011/08/14
IP:四川
使用IR2113驱动半桥,单电源15V供电,电感负载
刚开机时上桥出现关断了又开通,如图:
906_048e13132950491c1323d3cfcdbb5.jpg 906_4cf813132952234f02f6ea8a0edf4.jpg
906_5a4c1313295553065597f01f317c6.jpg

黄色是上臂GE端波形
蓝色为下臂GE端波形
绿色为半桥电流波形

开始认为是关断太快,di/dt太大,把栅极电阻Rg从10ohm加大到40ohm,增加CE端吸收电容,也没有改善。
还有是不是嘈杂电感影响,di/dt太大,L倍di/dt引起上管E端负脉冲尖峰,在上管E端和驱动电源VSS之间串入小电阻可以吗,对整个驱动电路有影响吗?
另外,我用两只8050三极管进行电平嵌位,也没有改善,只有使用负电源关断才能彻底杜绝。
大家讨论下是什么原因,怎么以最小的改动进行改善?因为电路板已经做好了,不想再投米了[s:275] 。
7
15年5个月前IP:未同步
315661
1楼
橋臂的開關管是否有反向的飛輪二極管?開關管為MOSFET還是IGBT?
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15年5个月前IP:未同步
315666
2楼
上桥的自举电容和初始充电时间够不够
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aoe作者
15年5个月前IP:未同步
315690
3楼
回 1楼(y2k) 的帖子
开关管为IGBT,内部有体二极管。
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aoe作者
15年5个月前IP:未同步
315691
4楼
回 2楼(拔刀斋) 的帖子
上桥的自举电容较大,可以从波形看出前几个脉冲只有10V左右,然后慢慢升高。但,这有什么关系呢?
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15年5个月前IP:未同步
315695
5楼
Igbt內部輸出部分是BJT結構,關斷時需要負壓來減少拖尾,誤導通之類的事。對於ir2110之類的mosfet驅動可能略微有壓力,可嘗試在2110和igbt的gate之間加入一個耦合電容,提供負偏壓
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15年5个月前IP:未同步
315725
6楼
TDS2024C?口水~
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{{note.content}}
{{n.user.username}}
{{fromNow(n.toc)}} {{n.status === noteStatus.disabled ? "已屏蔽" : ""}} {{n.status === noteStatus.unknown ? "正在审核" : ""}} {{n.status === noteStatus.deleted ? '已删除' : ''}}
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  • {{n.status === 'disabled' ? "解除屏蔽" : "屏蔽" }}
我也是有底线的