另外，那个反馈互感器和过流保护互感器。简单地把初级线圈穿过磁环就行了吗？还是要在磁环上绕一圈？我第一次做没有经验......
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话说，400kHz的DRSSTC可以用IGBT否？
RT，我正在做一个DRSSTC，这毕竟是第一次做，怕失败，怕炸管，所以来请教一下大家。
我准备买俩IGBT砖来做全桥，我想知道，如果频率达到400kHz，砖能不能承受？
还有，MMC用电磁炉的MKPH电容可以吗？
我准备买俩IGBT砖来做全桥，我想知道，如果频率达到400kHz，砖能不能承受？
还有，MMC用电磁炉的MKPH电容可以吗？
回 1楼(冻土) 的帖子
我通常是绕一圈，但值得一提的是，貌似直接穿过去也行，至于这个砖的问题。。。。你懂得，我也没用这玩意儿搞过。
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敢不敢报一下它的型号……按道理来说应该不会炸，但是……还是发一下型号吧。两块“板砖”的型号必须一致。
另外那个绕反馈的问题……直接穿过也行，绕一圈也可以。直接穿过不行就绕一圈。不过按理来说穿过就应该有反馈了。
另外那个绕反馈的问题……直接穿过也行，绕一圈也可以。直接穿过不行就绕一圈。不过按理来说穿过就应该有反馈了。
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建议你用英飞凌高频IGBT模块 600A，1200V，很强悍啊
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
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这东西真贵......还不如买俩CM300。
还有一点，DR4里的74HC74和74HC08没买到，用LS代的芯片代替可以吗？
这东西真贵......还不如买俩CM300。
还有一点，DR4里的74HC74和74HC08没买到，用LS代的芯片代替可以吗？
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回 6楼(black) 的帖子
兄台，LS代的芯片属于TTL芯片，它的特点是高速、耗电大，而HC代的芯片属于CMOS，对于外界的波动极其敏感，但是速度不如TTL。
TTL和CMOS对比：（TTL、CMOS）
电压范围：窄（精确的5V）、宽（5-15V）
速度：快、较慢
耗电量：高、低
对于微小波动的敏感性：低、高
静电易损性：低、高
CMOS芯片对于外界的微小波动十分敏感，所以我们才会采用CMOS芯片来追频。计算机都是采用TTL芯片，速度快，耗电多，所以用的时间长了会爆热。
传说HC代的CMOS芯片已经弥补了速度和对静电的易损性的不足。
TTL和CMOS对比：（TTL、CMOS）
电压范围：窄（精确的5V）、宽（5-15V）
速度：快、较慢
耗电量：高、低
对于微小波动的敏感性：低、高
静电易损性：低、高
CMOS芯片对于外界的微小波动十分敏感，所以我们才会采用CMOS芯片来追频。计算机都是采用TTL芯片，速度快，耗电多，所以用的时间长了会爆热。
传说HC代的CMOS芯片已经弥补了速度和对静电的易损性的不足。
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晶体管—晶体管逻辑，Transistor—Transistor Logic，TTL。这种东西和一般芯片差不多，都是用一堆晶体管来实现逻辑的。
互补金属氧化物，Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS。CMOS芯片是由一组金属氧化物场效应晶体管组成的。
TTL芯片对于电流敏感，对电压不敏感。而CMOS芯片对电压敏感。我总算明白为什么CMOS对于微小的波动这么敏感了......
PS：上面的表格漏了一项：
输入阻抗：TTL：低；CMOS：极高。
扯了大半天，我还是想知道，用LS代的芯片代替HC代芯片追频可行吗？
互补金属氧化物，Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS。CMOS芯片是由一组金属氧化物场效应晶体管组成的。
TTL芯片对于电流敏感，对电压不敏感。而CMOS芯片对电压敏感。我总算明白为什么CMOS对于微小的波动这么敏感了......
PS：上面的表格漏了一项：
输入阻抗：TTL：低；CMOS：极高。
扯了大半天，我还是想知道，用LS代的芯片代替HC代芯片追频可行吗？
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回 8楼(冻土) 的帖子
翻阅了下74HC14 74LS14的datasheet
![未命名.jpg]()
![未命名2.jpg]()
HC系的比LS系的下降时间（PLH）慢12nS 但是上升时间（PHL）快2nS
可见两芯片数据差得不多
但是观察测量条件可知
数据手册中HC系的负载电容是50PF LS系的数据是在负载电容15PF下测得
在将近三倍的负载电容下
74HC输出信号的速度和74LS的近乎相同
这样对比来说 是74HC的速度比74LS快的
可见两芯片数据差得不多
但是观察测量条件可知
数据手册中HC系的负载电容是50PF LS系的数据是在负载电容15PF下测得
在将近三倍的负载电容下
74HC输出信号的速度和74LS的近乎相同
这样对比来说 是74HC的速度比74LS快的
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回 17楼(专打贾君鹏) 的帖子
谢了......
话说，如果用两个CM50DY-12H，大概可以达到1到2千瓦吧？如果这样，用6毫米的铜管绕初级线圈可以吗？
无论如何，在装上CM50之前，我还是决定先拿250搭个小全桥当替死鬼试试......阴险地笑了。
话说，如果用两个CM50DY-12H，大概可以达到1到2千瓦吧？如果这样，用6毫米的铜管绕初级线圈可以吗？
无论如何，在装上CM50之前，我还是决定先拿250搭个小全桥当替死鬼试试......阴险地笑了。
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权威文献没看到，但记得有资料记载，IGBT模块一般工作到50KHZ就差不多到极限，再高很难可靠工作，并且因为G极快速充放电，IGBT推动电路功耗很大而导致设计难度增大，模块功率越大，越难推动，高频率下尤其如此。相比起来，无论是74LS还是HC，速度都要远超IGBT。
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回 20楼(slof) 的帖子
那么。用Steve的那个DR4电路，把74HC08换成74LS08可以吗？理论上，初级反馈回来的电流不会大，用对电流敏感的LS好像有点不合适吧？
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