可控硅速度太慢了！电压也不能高。
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自己突发奇想，想到一个关于多级线圈控制问题，求验证~
看大家的多级线圈都是当弹头通过线圈中部放电完毕，为什么不能以此为突破点哪？一级线圈电容电压控制着二级线圈（三极管）的可控硅二级控制三级。。。。以此类推，手动开启一级线圈，当电放完，电压为0v（也可以是其他值），三极管打开二级可控硅，二级开启，三级同一级与二级~期间子弹与线圈之间的同步可通过电容的放电时间和每级之间的三极管的开启电压控制~子弹通过线圈中部到下级之间段可用于对电子器件的延迟补偿~
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比较理想的是子弹行进到线圈的中间时电容放电完毕，如果子弹超过了线圈的中间电容还在放电，那么线圈就会反拉子弹，所以好的设计都是至少子弹到线圈的中间电容就放电完毕了，也就是说电容放电完后子弹还没有完全出前一级的线圈。
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湖北小龚 发表于 2014-3-8 22:01
比较理想的是子弹行进到线圈的中间时电容放电完毕，如果子弹超过了线圈的中间电容还在放电，那么线圈就会反 ...
如果线圈的长度和子弹的长度一样就可以解决这个问题，再说这也是前几级，后面子弹的高速和电器器件的延迟会互相拟补，再再说，这只是一个初级设想，不可能一下子就完满无缺，没一点漏洞，结局还是大家一起努力去完善它。
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a932572210 发表于 2014-3-9 17:27
一劳永逸的啊
将来换不同的弹丸，磁导率，质量变化，或者发射角度变化，或者增大功率。就要进行反复的试验，很麻烦。
用单片机搞个无感无刷发射器，随便塞个铁钉进去就能发射。
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